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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IRF1010EZS

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

產品應用分類：單端場效應管

現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求！

技術參數詳解：

制造商產品型號：IRF1010EZS

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：75A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.5 毫歐 @ 51A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：86nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2810pF @ 25V

功率 - 最大值：140W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：D2PAK

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