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圖片信息
IXST30N60BD1圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IXST30N60BD1
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術標準參數(shù):IGBT 600V 55A 200W TO268
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXST30N60BD1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產的所有大小批量采購需求!
  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產品型號:IXST30N60BD1
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  • 描述:IGBT 600V 55A 200W TO268
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):55A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):110A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,55A
  • 功率-最大值:200W
  • 開關能量:1.5mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:100nC
  • 25°C時Td(開/關)值:30ns/150ns
  • 測試條件:480V,30A,4.7 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):50ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
  • IXST30N60BD1均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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