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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供BSB013NE2LXI(品牌: Infineon)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
快速詢價(jià)熱線
深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
Infineon產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量
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圖片信息
BSB013NE2LXI圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):BSB013NE2LXI
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載BSB013NE2LXI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSB013NE2LXI
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):36A(Ta),163A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):62nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4400pF @ 12V
  • 功率 - 最大值:2.8W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:3-WDSON
  • 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M
  • BSB013NE2LXI均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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