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圖片信息
APT33GF120B2RDQ2G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APT33GF120B2RDQ2G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數(shù):IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 產(chǎn)品應用分類:單路IGBT
  • 點擊此處下載APT33GF120B2RDQ2G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列:-
  • IGBT 類型:NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):64A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):75A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:357W
  • Switching Energy:1.315μJ (開), 1.515μJ (關)
  • 輸入類型:標準
  • Gate Charge:170nC
  • 25°C 時 Td(開/關)值:14ns/185ns
  • Test Condition:800V, 25A, 4.3 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr):-
  • 封裝/外殼:TO-247-3 變式
  • 安裝類型:通孔
  • 供應商器件封裝:*
  • APT33GF120B2RDQ2G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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