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圖片信息
APT50GP60BG圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APT50GP60BG
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數(shù):IGBT 600V 100A 625W TO247
  • 產(chǎn)品應用分類:單路IGBT
  • 點擊此處下載APT50GP60BG的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT50GP60BG
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 600V 100A 625W TO247
  • 系列:POWER MOS 7
  • IGBT 類型:PT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):190A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,50A
  • 功率 - 最大值:625W
  • Switching Energy:465μJ (開), 637μJ (關)
  • 輸入類型:標準
  • Gate Charge:165nC
  • 25°C 時 Td(開/關)值:19ns/83ns
  • Test Condition:400V, 50A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr):-
  • 封裝/外殼:TO-247-3
  • 安裝類型:通孔
  • 供應商器件封裝:TO-247 [B]
  • APT50GP60BG均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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