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圖片信息
HGT1N30N60A4D圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:HGT1N30N60A4D
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載HGT1N30N60A4D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:HGT1N30N60A4D
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 配置:單路
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):96A
  • 功率-最大值:255W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):-
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SOT-227-4,miniBLOC
  • HGT1N30N60A4D均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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