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      4. 

      

      
  
      深圳市南皇電子有限公司長期提供NTD4913N-1G（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
      
  
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      深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
      

      

      

      

      

      

      

      

      

      

      

      


      ON產(chǎn)品快速報價、當日發(fā)貨、無最低起訂量
      

      NTD4913N-1G - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，ON代理穩(wěn)定貨源。
      

      

      

      

      圖片信息
      

      NTD4913N-1G圖片
      

      

      

      

      基本技術(shù)信息：
      

    4. 電子器件型號：NTD4913N-1G
      5. 

    5. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
      6. 

    6. 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A IPAK
      7. 

    7. 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      8. 

    8. 點擊此處下載NTD4913N-1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
      9. 

    9. 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
      10. 

      

      

      

      

      

      

      技術(shù)參數(shù)詳解：
      

    10. 制造商產(chǎn)品型號：NTD4913N-1G
    11. 制造商：ON Semiconductor
    12. 描述：MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A IPAK
    13. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    14. 產(chǎn)品系列：-
    15. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    16. FET類型：N 通道
    17. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    18. 漏源電壓（Vdss）：30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7.7A（Ta），32A（Tc）
    20. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
    21. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.5 毫歐 @ 30A，10V
    22. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
    24. Vgs（最大值）：±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1013pF @ 15V
    26. FET功能：-
    27. 功率耗散（最大值）：1.36W（Ta），24W（Tc）
    28. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    29. 安裝類型：通孔
    30. 器件封裝：I-PAK
    31. NTD4913N-1G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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      ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
      

      

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