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      圖片信息
      RV2C001ZPT2L圖片
      基本技術(shù)信息:
    2. 電子器件型號:RV2C001ZPT2L
    3. 原始制造廠商:ROHM,羅姆
    4. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
    5. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    6. 點(diǎn)擊此處下載RV2C001ZPT2L的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    7. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    8. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    9. 制造商產(chǎn)品型號:RV2C001ZPT2L
    10. 制造商:Rohm Semiconductor
    11. 描述:MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
    12. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    13. 產(chǎn)品系列:-
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. FET類型:P 通道
    16. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    17. 漏源電壓(Vdss):20V
    18. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):100mA(Ta)
    19. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V
    20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):3.8 歐姆 @ 100mA,4.5V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 100μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):-
    23. Vgs(最大值):±10V
    24. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):15pF @ 10V
    25. FET功能:-
    26. 功率耗散(最大值):100mW(Ta)
    27. 工作溫度:150°C(TJ)
    28. 安裝類型:表面貼裝型
    29. 器件封裝:DFN1006-3(VML1006)
    30. RV2C001ZPT2L均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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