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圖片信息
STB25NM50N-1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):STB25NM50N-1
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載STB25NM50N-1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STB25NM50N-1
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:MDmesh? II
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):500V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):22A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):140 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2565pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):160W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 器件封裝:I2PAK
  • STB25NM50N-1均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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