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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SI7530DP-T1-E3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SI7530DP-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：*

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3A，3.2A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 4.6A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：1.4W，1.5W

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：PowerPAK? SO-8 雙

SI7530DP-T1-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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