氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業(yè)領導者Navitas Semiconductor宣布，其采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率 IC已升級以提高效率，功率密度，并進入更多的快速充電器市場。
GaN是下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。GaNFast 功率 IC 集成了 GaN 功率和驅動以及保護和控制，以提供簡單、小型、快速和高效的性能。超過 3000 萬個 GaNFast 電源 IC 已發(fā)貨，報告的現(xiàn)場故障為零。
采用 GaNSense 的 NV613x 和 NV615x GaNFast 電源 IC 的“額定電壓”已從 650V 升級到 700V，以實現(xiàn)連續(xù)運行，額定電壓為 800V，適用于瞬態(tài)條件。更高的額定電壓可實現(xiàn)更高效的電力變壓器電路設計，并為世界上具有不可靠、變化廣泛且具有極端電壓尖峰的電網(wǎng)的地區(qū)提供更高的功能。自主系統(tǒng)級監(jiān)控和反應確保在 30 ns 內(nèi)“檢測和保護”——比離散實施快 10 倍。
“GaNFast 功率 IC 已經(jīng)在移動快速充電器市場提供了最高的可靠性和最高的性能，”Navitas 的首席運營官/首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 說�！癗avitas 的工程、質量和應用團隊繼續(xù)提供領先的下一代技術，采用經(jīng)過驗證的數(shù)據(jù)驅動方法，使客戶能夠在電源轉換和快速充電器設計方面進行積極創(chuàng)新，并進入擴大的市場我們世界的更多領域。”
更新的數(shù)據(jù)表和可靠性報告可根據(jù) NDA 立即提供給客戶和設計合作伙伴。
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